Beli Vishay Siliconix SI5402DC-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI5402DC-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.9A 1206-8

Nomor Bagian

SI5402DC-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SMD, Flat Lead

Paket Perangkat Pemasok

1206-8 ChipFET™

Disipasi Daya (Maks)

1.3W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

4.9A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

35 mOhm @ 4.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA (Min)

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

20nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 6902 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI5401DC-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 5.2A 1206-8