Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI4888DY-T1-E3

SI4888DY-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Nomor Bagian
SI4888DY-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Perangkat Pemasok
8-SO
Disipasi Daya (Maks)
1.6W (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
11A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
7 mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.6V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
24nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 19668 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI4888DY-T1-E3
SI4888DY-T1-E3 Komponen elektronik
SI4888DY-T1-E3 Penjualan
SI4888DY-T1-E3 Pemasok
SI4888DY-T1-E3 Distributor
SI4888DY-T1-E3 Tabel data
SI4888DY-T1-E3 Foto
SI4888DY-T1-E3 Harga
SI4888DY-T1-E3 Menawarkan
SI4888DY-T1-E3 Harga terendah
SI4888DY-T1-E3 Mencari
SI4888DY-T1-E3 Pembelian
SI4888DY-T1-E3 Kepingan