SI4866BDY-T1-E3
MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC
Nomor Bagian
SI4866BDY-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Perangkat Pemasok
8-SO
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 4.45W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
12V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
21.5A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
5.3 mOhm @ 12A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
80nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
5020pF @ 6V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 54622 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari SI4866BDY-T1-E3
SI4866BDY-T1-E3 Komponen elektronik
SI4866BDY-T1-E3 Penjualan
SI4866BDY-T1-E3 Pemasok
SI4866BDY-T1-E3 Distributor
SI4866BDY-T1-E3 Tabel data
SI4866BDY-T1-E3 Foto
SI4866BDY-T1-E3 Harga
SI4866BDY-T1-E3 Menawarkan
SI4866BDY-T1-E3 Harga terendah
SI4866BDY-T1-E3 Mencari
SI4866BDY-T1-E3 Pembelian
SI4866BDY-T1-E3 Kepingan