Beli Vishay Siliconix SI4778DY-T1-GE3 MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI4778DY-T1-GE3

MOSFET N-CH 25V 8A 8-SOIC

Nomor Bagian

SI4778DY-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paket Perangkat Pemasok

8-SO

Disipasi Daya (Maks)

2.4W (Ta), 5W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

25V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

23 mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

18nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

680pF @ 13V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±16V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 14504 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI4700-B-EVB

BOARD EVAL FOR SI4700