Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI4668DY-T1-E3

SI4668DY-T1-E3

MOSFET N-CH 25V 16.2A 8-SOIC
Nomor Bagian
SI4668DY-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Perangkat Pemasok
8-SO
Disipasi Daya (Maks)
2.5W (Ta), 5W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
25V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
16.2A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
10.5 mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.6V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
42nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1654pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±16V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 24298 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI4668DY-T1-E3
SI4668DY-T1-E3 Komponen elektronik
SI4668DY-T1-E3 Penjualan
SI4668DY-T1-E3 Pemasok
SI4668DY-T1-E3 Distributor
SI4668DY-T1-E3 Tabel data
SI4668DY-T1-E3 Foto
SI4668DY-T1-E3 Harga
SI4668DY-T1-E3 Menawarkan
SI4668DY-T1-E3 Harga terendah
SI4668DY-T1-E3 Mencari
SI4668DY-T1-E3 Pembelian
SI4668DY-T1-E3 Kepingan