Beli Vishay Siliconix SI4435FDY-T1-GE3 MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI4435FDY-T1-GE3

MOSFET P-CH 30V 12.6A 8SOIC

Nomor Bagian

SI4435FDY-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET® Gen III

Status Bagian

Active

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

Paket Perangkat Pemasok

8-SOIC

Disipasi Daya (Maks)

4.8W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

12.6A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

19 mOhm @ 9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

2.2V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

42nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1500pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 45832 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI4401BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 40V 8.7A 8-SOIC