Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI4435BDY-T1-E3

SI4435BDY-T1-E3

MOSFET P-CH 30V 7A 8-SOIC
Nomor Bagian
SI4435BDY-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket Perangkat Pemasok
8-SO
Disipasi Daya (Maks)
1.5W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
7A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
20 mOhm @ 9.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
70nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 49113 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI4435BDY-T1-E3
SI4435BDY-T1-E3 Komponen elektronik
SI4435BDY-T1-E3 Penjualan
SI4435BDY-T1-E3 Pemasok
SI4435BDY-T1-E3 Distributor
SI4435BDY-T1-E3 Tabel data
SI4435BDY-T1-E3 Foto
SI4435BDY-T1-E3 Harga
SI4435BDY-T1-E3 Menawarkan
SI4435BDY-T1-E3 Harga terendah
SI4435BDY-T1-E3 Mencari
SI4435BDY-T1-E3 Pembelian
SI4435BDY-T1-E3 Kepingan