Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI3493BDV-T1-GE3

SI3493BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 8A 6-TSOP
Nomor Bagian
SI3493BDV-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok
6-TSOP
Disipasi Daya (Maks)
2.08W (Ta), 2.97W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
8A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
27.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
43.5nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1805pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 40245 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI3493BDV-T1-GE3
SI3493BDV-T1-GE3 Komponen elektronik
SI3493BDV-T1-GE3 Penjualan
SI3493BDV-T1-GE3 Pemasok
SI3493BDV-T1-GE3 Distributor
SI3493BDV-T1-GE3 Tabel data
SI3493BDV-T1-GE3 Foto
SI3493BDV-T1-GE3 Harga
SI3493BDV-T1-GE3 Menawarkan
SI3493BDV-T1-GE3 Harga terendah
SI3493BDV-T1-GE3 Mencari
SI3493BDV-T1-GE3 Pembelian
SI3493BDV-T1-GE3 Kepingan