Beli Vishay Siliconix SI3475DV-T1-E3 MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI3475DV-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 0.95A 6-TSOP

Nomor Bagian

SI3475DV-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paket Perangkat Pemasok

6-TSOP

Disipasi Daya (Maks)

2W (Ta), 3.2W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

950mA (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.61 Ohm @ 900mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

18nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

500pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

6V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 26823 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN