Beli Vishay Siliconix SI3460DV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI3460DV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP

Nomor Bagian

SI3460DV-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paket Perangkat Pemasok

6-TSOP

Disipasi Daya (Maks)

1.1W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

5.1A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

450mV @ 1mA (Min)

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

20nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 19522 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN