Beli Vishay Siliconix SI3460BDV-T1-E3 MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI3460BDV-T1-E3

MOSFET N-CH 20V 8A 6-TSOP

Nomor Bagian

SI3460BDV-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

Paket Perangkat Pemasok

6-TSOP

Disipasi Daya (Maks)

2W (Ta), 3.5W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

8A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

27 mOhm @ 5.1A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

24nC @ 8V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

860pF @ 10V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 43756 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI3400-BZ-GM

IC POWER OVER ETHERNET 20QFN