Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI3459BDV-T1-E3

SI3459BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 2.9A 6-TSOP
Nomor Bagian
SI3459BDV-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok
6-TSOP
Disipasi Daya (Maks)
2W (Ta), 3.3W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
60V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
2.9A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
216 mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
350pF @ 30V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 39229 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI3459BDV-T1-E3
SI3459BDV-T1-E3 Komponen elektronik
SI3459BDV-T1-E3 Penjualan
SI3459BDV-T1-E3 Pemasok
SI3459BDV-T1-E3 Distributor
SI3459BDV-T1-E3 Tabel data
SI3459BDV-T1-E3 Foto
SI3459BDV-T1-E3 Harga
SI3459BDV-T1-E3 Menawarkan
SI3459BDV-T1-E3 Harga terendah
SI3459BDV-T1-E3 Mencari
SI3459BDV-T1-E3 Pembelian
SI3459BDV-T1-E3 Kepingan