Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI3443BDV-T1-E3

SI3443BDV-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 3.6A 6-TSOP
Nomor Bagian
SI3443BDV-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok
6-TSOP
Disipasi Daya (Maks)
1.1W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
60 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1.4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
9nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 50256 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI3443BDV-T1-E3
SI3443BDV-T1-E3 Komponen elektronik
SI3443BDV-T1-E3 Penjualan
SI3443BDV-T1-E3 Pemasok
SI3443BDV-T1-E3 Distributor
SI3443BDV-T1-E3 Tabel data
SI3443BDV-T1-E3 Foto
SI3443BDV-T1-E3 Harga
SI3443BDV-T1-E3 Menawarkan
SI3443BDV-T1-E3 Harga terendah
SI3443BDV-T1-E3 Mencari
SI3443BDV-T1-E3 Pembelian
SI3443BDV-T1-E3 Kepingan