Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI3434DV-T1-E3

SI3434DV-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 4.6A 6-TSOP
Nomor Bagian
SI3434DV-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok
6-TSOP
Disipasi Daya (Maks)
1.14W (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4.6A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
34 mOhm @ 6.1A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
600mV @ 1mA (Min)
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
2.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±12V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 20056 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI3434DV-T1-E3
SI3434DV-T1-E3 Komponen elektronik
SI3434DV-T1-E3 Penjualan
SI3434DV-T1-E3 Pemasok
SI3434DV-T1-E3 Distributor
SI3434DV-T1-E3 Tabel data
SI3434DV-T1-E3 Foto
SI3434DV-T1-E3 Harga
SI3434DV-T1-E3 Menawarkan
SI3434DV-T1-E3 Harga terendah
SI3434DV-T1-E3 Mencari
SI3434DV-T1-E3 Pembelian
SI3434DV-T1-E3 Kepingan