Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI3433BDV-T1-GE3

SI3433BDV-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 4.3A 6-TSOP
Nomor Bagian
SI3433BDV-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Paket Perangkat Pemasok
6-TSOP
Disipasi Daya (Maks)
1.1W (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4.3A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
42 mOhm @ 5.6A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
850mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
18nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 8205 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI3433BDV-T1-GE3
SI3433BDV-T1-GE3 Komponen elektronik
SI3433BDV-T1-GE3 Penjualan
SI3433BDV-T1-GE3 Pemasok
SI3433BDV-T1-GE3 Distributor
SI3433BDV-T1-GE3 Tabel data
SI3433BDV-T1-GE3 Foto
SI3433BDV-T1-GE3 Harga
SI3433BDV-T1-GE3 Menawarkan
SI3433BDV-T1-GE3 Harga terendah
SI3433BDV-T1-GE3 Mencari
SI3433BDV-T1-GE3 Pembelian
SI3433BDV-T1-GE3 Kepingan