Beli Vishay Siliconix SI2365EDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI2365EDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 5.9A TO-236

Nomor Bagian

SI2365EDS-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-236

Disipasi Daya (Maks)

1W (Ta), 1.7W (Tc)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

5.9A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

32 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

36nC @ 8V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 50549 PCS

Kontak informasi