Beli Vishay Siliconix SI2356DS-T1-GE3 MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI2356DS-T1-GE3

MOSFET N-CH 40V 4.3A SOT-23

Nomor Bagian

SI2356DS-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

TO-236

Disipasi Daya (Maks)

960mW (Ta), 1.7W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

40V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

4.3A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

51 mOhm @ 3.2A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.5V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

13nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

370pF @ 20V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 10V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 30915 PCS

Kontak informasi