Beli Vishay Siliconix SI2335DS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI2335DS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3.2A SOT23-3

Nomor Bagian

SI2335DS-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

SOT-23-3 (TO-236)

Disipasi Daya (Maks)

750mW (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

12V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3.2A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

51 mOhm @ 4A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

450mV @ 250µA (Min)

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1225pF @ 6V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 20253 PCS

Kontak informasi