Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI2327DS-T1-E3

SI2327DS-T1-E3

MOSFET P-CH 200V 0.38A SOT23-3
Nomor Bagian
SI2327DS-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Disipasi Daya (Maks)
750mW (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
380mA (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2.35 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4.5V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
510pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
6V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 28403 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI2327DS-T1-E3
SI2327DS-T1-E3 Komponen elektronik
SI2327DS-T1-E3 Penjualan
SI2327DS-T1-E3 Pemasok
SI2327DS-T1-E3 Distributor
SI2327DS-T1-E3 Tabel data
SI2327DS-T1-E3 Foto
SI2327DS-T1-E3 Harga
SI2327DS-T1-E3 Menawarkan
SI2327DS-T1-E3 Harga terendah
SI2327DS-T1-E3 Mencari
SI2327DS-T1-E3 Pembelian
SI2327DS-T1-E3 Kepingan