Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI2323DS-T1

SI2323DS-T1

MOSFET P-CH 20V 3.7A SOT23
Nomor Bagian
SI2323DS-T1
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Disipasi Daya (Maks)
750mW (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3.7A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
39 mOhm @ 4.7A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
19nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1020pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 5904 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI2323DS-T1
SI2323DS-T1 Komponen elektronik
SI2323DS-T1 Penjualan
SI2323DS-T1 Pemasok
SI2323DS-T1 Distributor
SI2323DS-T1 Tabel data
SI2323DS-T1 Foto
SI2323DS-T1 Harga
SI2323DS-T1 Menawarkan
SI2323DS-T1 Harga terendah
SI2323DS-T1 Mencari
SI2323DS-T1 Pembelian
SI2323DS-T1 Kepingan