Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI2321DS-T1-E3

SI2321DS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.9A SOT-23
Nomor Bagian
SI2321DS-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Disipasi Daya (Maks)
710mW (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
57 mOhm @ 3.3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
13nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
715pF @ 6V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 38419 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI2321DS-T1-E3
SI2321DS-T1-E3 Komponen elektronik
SI2321DS-T1-E3 Penjualan
SI2321DS-T1-E3 Pemasok
SI2321DS-T1-E3 Distributor
SI2321DS-T1-E3 Tabel data
SI2321DS-T1-E3 Foto
SI2321DS-T1-E3 Harga
SI2321DS-T1-E3 Menawarkan
SI2321DS-T1-E3 Harga terendah
SI2321DS-T1-E3 Mencari
SI2321DS-T1-E3 Pembelian
SI2321DS-T1-E3 Kepingan