Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI2318DS-T1-E3

SI2318DS-T1-E3

MOSFET N-CH 40V 3A SOT23-3
Nomor Bagian
SI2318DS-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Disipasi Daya (Maks)
750mW (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
40V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
540pF @ 20V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 29596 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI2318DS-T1-E3
SI2318DS-T1-E3 Komponen elektronik
SI2318DS-T1-E3 Penjualan
SI2318DS-T1-E3 Pemasok
SI2318DS-T1-E3 Distributor
SI2318DS-T1-E3 Tabel data
SI2318DS-T1-E3 Foto
SI2318DS-T1-E3 Harga
SI2318DS-T1-E3 Menawarkan
SI2318DS-T1-E3 Harga terendah
SI2318DS-T1-E3 Mencari
SI2318DS-T1-E3 Pembelian
SI2318DS-T1-E3 Kepingan