Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI2316DS-T1-E3

SI2316DS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
Nomor Bagian
SI2316DS-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Disipasi Daya (Maks)
700mW (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
2.9A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
800mV @ 250µA (Min)
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
7nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
215pF @ 15V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 25230 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI2316DS-T1-E3
SI2316DS-T1-E3 Komponen elektronik
SI2316DS-T1-E3 Penjualan
SI2316DS-T1-E3 Pemasok
SI2316DS-T1-E3 Distributor
SI2316DS-T1-E3 Tabel data
SI2316DS-T1-E3 Foto
SI2316DS-T1-E3 Harga
SI2316DS-T1-E3 Menawarkan
SI2316DS-T1-E3 Harga terendah
SI2316DS-T1-E3 Mencari
SI2316DS-T1-E3 Pembelian
SI2316DS-T1-E3 Kepingan