Beli Vishay Siliconix SI2316DS-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI2316DS-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3

Nomor Bagian

SI2316DS-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

SOT-23-3 (TO-236)

Disipasi Daya (Maks)

700mW (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.9A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

800mV @ 250µA (Min)

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

7nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

215pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 25230 PCS

Kontak informasi