Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI2315BDS-T1-GE3

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3
Nomor Bagian
SI2315BDS-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Digi-Reel®
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Perangkat Pemasok
-
Disipasi Daya (Maks)
750mW (Ta)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
12V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
50 mOhm @ 3.85A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
900mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
15nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
715pF @ 6V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 27508 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI2315BDS-T1-GE3
SI2315BDS-T1-GE3 Komponen elektronik
SI2315BDS-T1-GE3 Penjualan
SI2315BDS-T1-GE3 Pemasok
SI2315BDS-T1-GE3 Distributor
SI2315BDS-T1-GE3 Tabel data
SI2315BDS-T1-GE3 Foto
SI2315BDS-T1-GE3 Harga
SI2315BDS-T1-GE3 Menawarkan
SI2315BDS-T1-GE3 Harga terendah
SI2315BDS-T1-GE3 Mencari
SI2315BDS-T1-GE3 Pembelian
SI2315BDS-T1-GE3 Kepingan