Beli Vishay Siliconix SI2315BDS-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI2315BDS-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V 3A SOT23-3

Nomor Bagian

SI2315BDS-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Digi-Reel®

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

Disipasi Daya (Maks)

750mW (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

12V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

50 mOhm @ 3.85A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

900mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

15nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

715pF @ 6V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 27508 PCS

Kontak informasi