Beli Vishay Siliconix SI2312BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3

Nomor Bagian

SI2312BDS-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

SOT-23-3 (TO-236)

Disipasi Daya (Maks)

750mW (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3.9A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

31 mOhm @ 5A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

850mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

12nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 40843 PCS

Kontak informasi