Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI2312BDS-T1-GE3

SI2312BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 20V 3.9A SOT23-3
Nomor Bagian
SI2312BDS-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Disipasi Daya (Maks)
750mW (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
3.9A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
31 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
850mV @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.8V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 40843 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI2312BDS-T1-GE3
SI2312BDS-T1-GE3 Komponen elektronik
SI2312BDS-T1-GE3 Penjualan
SI2312BDS-T1-GE3 Pemasok
SI2312BDS-T1-GE3 Distributor
SI2312BDS-T1-GE3 Tabel data
SI2312BDS-T1-GE3 Foto
SI2312BDS-T1-GE3 Harga
SI2312BDS-T1-GE3 Menawarkan
SI2312BDS-T1-GE3 Harga terendah
SI2312BDS-T1-GE3 Mencari
SI2312BDS-T1-GE3 Pembelian
SI2312BDS-T1-GE3 Kepingan