Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI2309CDS-T1-E3

SI2309CDS-T1-E3

MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Nomor Bagian
SI2309CDS-T1-E3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Paket Perangkat Pemasok
SOT-23-3 (TO-236)
Disipasi Daya (Maks)
1W (Ta), 1.7W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
60V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1.6A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
345 mOhm @ 1.25A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
3V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
4.1nC @ 4.5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
210pF @ 30V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4.5V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 51605 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI2309CDS-T1-E3
SI2309CDS-T1-E3 Komponen elektronik
SI2309CDS-T1-E3 Penjualan
SI2309CDS-T1-E3 Pemasok
SI2309CDS-T1-E3 Distributor
SI2309CDS-T1-E3 Tabel data
SI2309CDS-T1-E3 Foto
SI2309CDS-T1-E3 Harga
SI2309CDS-T1-E3 Menawarkan
SI2309CDS-T1-E3 Harga terendah
SI2309CDS-T1-E3 Mencari
SI2309CDS-T1-E3 Pembelian
SI2309CDS-T1-E3 Kepingan