Beli Vishay Siliconix SI2308BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI2308BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3

Nomor Bagian

SI2308BDS-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

SOT-23-3 (TO-236)

Disipasi Daya (Maks)

1.09W (Ta), 1.66W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

60V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.3A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 1.9A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

6.8nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

190pF @ 30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 13593 PCS

Kontak informasi