Beli Vishay Siliconix SI2306BDS-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI2306BDS-T1-GE3

MOSFET N-CH 30V 3.16A SOT23-3

Nomor Bagian

SI2306BDS-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

SOT-23-3 (TO-236)

Disipasi Daya (Maks)

750mW (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

3.16A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

47 mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

3V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

4.5nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

305pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

4.5V, 10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 16163 PCS

Kontak informasi