Beli Vishay Siliconix SI2301BDS-T1-E3 MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI2301BDS-T1-E3

MOSFET P-CH 20V 2.2A SOT23-3

Nomor Bagian

SI2301BDS-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Active

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Paket Perangkat Pemasok

SOT-23-3 (TO-236)

Disipasi Daya (Maks)

700mW (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

20V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

2.2A (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

100 mOhm @ 2.8A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

950mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

10nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

375pF @ 6V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 44101 PCS

Kontak informasi