Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
SI1427EDH-T1-GE3

SI1427EDH-T1-GE3

MOSFET P-CH 20V 2A SOT-363
Nomor Bagian
SI1427EDH-T1-GE3
Pabrikan/Merek
Seri
TrenchFET®
Status Bagian
Active
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Paket Perangkat Pemasok
SC-70-6 (SOT-363)
Disipasi Daya (Maks)
1.56W (Ta), 2.8W (Tc)
Tipe FET
P-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
20V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
64 mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks) @ Id
1V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
21nC @ 8V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
-
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
1.5V, 4.5V
Vgs (Maks)
±8V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 27659 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari SI1427EDH-T1-GE3
SI1427EDH-T1-GE3 Komponen elektronik
SI1427EDH-T1-GE3 Penjualan
SI1427EDH-T1-GE3 Pemasok
SI1427EDH-T1-GE3 Distributor
SI1427EDH-T1-GE3 Tabel data
SI1427EDH-T1-GE3 Foto
SI1427EDH-T1-GE3 Harga
SI1427EDH-T1-GE3 Menawarkan
SI1427EDH-T1-GE3 Harga terendah
SI1427EDH-T1-GE3 Mencari
SI1427EDH-T1-GE3 Pembelian
SI1427EDH-T1-GE3 Kepingan