Beli Vishay Siliconix SI1070X-T1-E3 MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI1070X-T1-E3

MOSFET N-CH 30V 1.2A SOT563F

Nomor Bagian

SI1070X-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

SOT-563, SOT-666

Paket Perangkat Pemasok

SC-89-6

Disipasi Daya (Maks)

236mW (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

30V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

99 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1.55V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

8.3nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

385pF @ 15V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

2.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±12V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 54682 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN