Beli Vishay Siliconix SI1065X-T1-E3 MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

SI1065X-T1-E3

MOSFET P-CH 12V 1.18A SOT563F

Nomor Bagian

SI1065X-T1-E3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tape & Reel (TR)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

SOT-563, SOT-666

Paket Perangkat Pemasok

SC-89-6

Disipasi Daya (Maks)

236mW (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

12V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

156 mOhm @ 1.18A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

950mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

10.8nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

480pF @ 6V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.8V, 4.5V

Vgs (Maks)

±8V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 19900 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN