Beli Vishay Siliconix SI1051X-T1-GE3 MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI1051X-T1-GE3

MOSFET P-CH 8V 1.2A SC89-6

Nomor Bagian

SI1051X-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

SOT-563, SOT-666

Paket Perangkat Pemasok

SC-89-6

Disipasi Daya (Maks)

236mW (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

122 mOhm @ 1.2A, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

1V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

9.45nC @ 5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

560pF @ 4V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.5V, 4.5V

Vgs (Maks)

±5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 52003 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN