Beli Vishay Siliconix SI1011X-T1-GE3 MOSFET P-CH 12V SC-89

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

SI1011X-T1-GE3

MOSFET P-CH 12V SC-89

Nomor Bagian

SI1011X-T1-GE3

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

TrenchFET®

Status Bagian

Last Time Buy

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

SC-89, SOT-490

Paket Perangkat Pemasok

SC-89-3

Disipasi Daya (Maks)

190mW (Ta)

Tipe FET

P-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

12V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

640 mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th) (Maks) @ Id

800mV @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

4nC @ 4.5V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

62pF @ 6V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

1.2V, 4.5V

Vgs (Maks)

±5V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 28933 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

SI1000-C-GM

IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 42-WFQFN