Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IRFSL9N60ATRR

IRFSL9N60ATRR

MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Nomor Bagian
IRFSL9N60ATRR
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK
Disipasi Daya (Maks)
170W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
49nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1400pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 24728 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari IRFSL9N60ATRR
IRFSL9N60ATRR Komponen elektronik
IRFSL9N60ATRR Penjualan
IRFSL9N60ATRR Pemasok
IRFSL9N60ATRR Distributor
IRFSL9N60ATRR Tabel data
IRFSL9N60ATRR Foto
IRFSL9N60ATRR Harga
IRFSL9N60ATRR Menawarkan
IRFSL9N60ATRR Harga terendah
IRFSL9N60ATRR Mencari
IRFSL9N60ATRR Pembelian
IRFSL9N60ATRR Kepingan