IRFSL9N60APBF
MOSFET N-CH 600V 9.2A TO-262
Nomor Bagian
IRFSL9N60APBF
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Paket Perangkat Pemasok
I2PAK
Disipasi Daya (Maks)
170W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
9.2A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
750 mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
49nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1400pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 39839 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IRFSL9N60APBF
IRFSL9N60APBF Komponen elektronik
IRFSL9N60APBF Penjualan
IRFSL9N60APBF Pemasok
IRFSL9N60APBF Distributor
IRFSL9N60APBF Tabel data
IRFSL9N60APBF Foto
IRFSL9N60APBF Harga
IRFSL9N60APBF Menawarkan
IRFSL9N60APBF Harga terendah
IRFSL9N60APBF Mencari
IRFSL9N60APBF Pembelian
IRFSL9N60APBF Kepingan