Beli Vishay Siliconix IRFD210 MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

IRFD210

MOSFET N-CH 200V 600MA 4-DIP

Nomor Bagian

IRFD210

Pabrikan/Merek

Vishay Siliconix

Seri

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

4-DIP (0.300", 7.62mm)

Paket Perangkat Pemasok

4-DIP, Hexdip, HVMDIP

Disipasi Daya (Maks)

1W (Ta)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

200V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

600mA (Ta)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

1.5 Ohm @ 360mA, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

8.2nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

140pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 43047 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

IRFD010

MOSFET N-CH 50V 1.7A 4-DIP