IRFBE30STRR
MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
Nomor Bagian
IRFBE30STRR
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D2PAK
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
4.1A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
3 Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
78nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1300pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 43273 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IRFBE30STRR
IRFBE30STRR Komponen elektronik
IRFBE30STRR Penjualan
IRFBE30STRR Pemasok
IRFBE30STRR Distributor
IRFBE30STRR Tabel data
IRFBE30STRR Foto
IRFBE30STRR Harga
IRFBE30STRR Menawarkan
IRFBE30STRR Harga terendah
IRFBE30STRR Mencari
IRFBE30STRR Pembelian
IRFBE30STRR Kepingan