Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IRFBE20S
MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
Nomor Bagian
IRFBE20S
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D2PAK
Disipasi Daya (Maks)
-
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
800V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
1.8A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
6.5 Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
38nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
530pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 51698 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IRFBE20S
IRFBE20S Komponen elektronik
IRFBE20S Penjualan
IRFBE20S Pemasok
IRFBE20S Distributor
IRFBE20S Tabel data
IRFBE20S Foto
IRFBE20S Harga
IRFBE20S Menawarkan
IRFBE20S Harga terendah
IRFBE20S Mencari
IRFBE20S Pembelian
IRFBE20S Kepingan