IRFB9N65APBF
MOSFET N-CH 650V 8.5A TO-220AB
Nomor Bagian
IRFB9N65APBF
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Active
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Through Hole
Paket / Kasus
TO-220-3
Paket Perangkat Pemasok
TO-220AB
Disipasi Daya (Maks)
167W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
930 mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
48nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1417pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 22681 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IRFB9N65APBF
IRFB9N65APBF Komponen elektronik
IRFB9N65APBF Penjualan
IRFB9N65APBF Pemasok
IRFB9N65APBF Distributor
IRFB9N65APBF Tabel data
IRFB9N65APBF Foto
IRFB9N65APBF Harga
IRFB9N65APBF Menawarkan
IRFB9N65APBF Harga terendah
IRFB9N65APBF Mencari
IRFB9N65APBF Pembelian
IRFB9N65APBF Kepingan