Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
IRF630S
MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
Nomor Bagian
IRF630S
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tube
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263)
Disipasi Daya (Maks)
3W (Ta), 74W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
200V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
9A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
400 mOhm @ 5.4A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
43nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
800pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 54314 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari IRF630S
IRF630S Komponen elektronik
IRF630S Penjualan
IRF630S Pemasok
IRF630S Distributor
IRF630S Tabel data
IRF630S Foto
IRF630S Harga
IRF630S Menawarkan
IRF630S Harga terendah
IRF630S Mencari
IRF630S Pembelian
IRF630S Kepingan