Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.
TPN1600ANH,L1Q

TPN1600ANH,L1Q

MOSFET N CH 100V 17A 8TSON-ADV
Nomor Bagian
TPN1600ANH,L1Q
Seri
U-MOSVIII-H
Status Bagian
Active
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
8-PowerVDFN
Paket Perangkat Pemasok
8-TSON Advance (3.3x3.3)
Disipasi Daya (Maks)
700mW (Ta), 42W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
17A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
16 mOhm @ 8.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 200µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
19nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1600pF @ 50V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 15000 PCS
Kontak informasi
Kata kunci dari TPN1600ANH,L1Q
TPN1600ANH,L1Q Komponen elektronik
TPN1600ANH,L1Q Penjualan
TPN1600ANH,L1Q Pemasok
TPN1600ANH,L1Q Distributor
TPN1600ANH,L1Q Tabel data
TPN1600ANH,L1Q Foto
TPN1600ANH,L1Q Harga
TPN1600ANH,L1Q Menawarkan
TPN1600ANH,L1Q Harga terendah
TPN1600ANH,L1Q Mencari
TPN1600ANH,L1Q Pembelian
TPN1600ANH,L1Q Kepingan