Beli Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N10PQ56 RLG MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

TSM120N10PQ56 RLG

MOSFET N-CH 100V 58A 8PDFN

Nomor Bagian

TSM120N10PQ56 RLG

Pabrikan/Merek

Taiwan Semiconductor Corporation

Seri

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Cut Tape (CT)

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Surface Mount

Paket / Kasus

8-PowerTDFN

Paket Perangkat Pemasok

8-PDFN (5x6)

Disipasi Daya (Maks)

36W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

100V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

58A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

12 mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

145nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

3902pF @ 30V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 54426 PCS

Kontak informasi