Beli Taiwan Semiconductor Corporation TSM10NB60CI C0G MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

TSM10NB60CI C0G

MOSFET N-CH 600V 10A ITO220

Nomor Bagian

TSM10NB60CI C0G

Pabrikan/Merek

Taiwan Semiconductor Corporation

Seri

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 150°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Paket Perangkat Pemasok

ITO-220

Disipasi Daya (Maks)

50W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

600V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

10A (Tc)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

750 mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 250µA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

39nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

1820pF @ 25V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±30V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 35482 PCS

Kontak informasi