RP1E125XNTR
MOSFET N-CH 30V 12.5A MPT6
Nomor Bagian
RP1E125XNTR
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
6-SMD, Flat Leads
Paket Perangkat Pemasok
MPT6
Disipasi Daya (Maks)
2W (Ta)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
30V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12.5A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
12 mOhm @ 12.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
2.5V @ 1mA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
12.7nC @ 5V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1000pF @ 10V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
4V, 10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 24483 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari RP1E125XNTR
RP1E125XNTR Komponen elektronik
RP1E125XNTR Penjualan
RP1E125XNTR Pemasok
RP1E125XNTR Distributor
RP1E125XNTR Tabel data
RP1E125XNTR Foto
RP1E125XNTR Harga
RP1E125XNTR Menawarkan
RP1E125XNTR Harga terendah
RP1E125XNTR Mencari
RP1E125XNTR Pembelian
RP1E125XNTR Kepingan