NTD12N10T4G
MOSFET N-CH 100V 12A DPAK
Nomor Bagian
NTD12N10T4G
Pabrikan/Merek
Seri
-
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Cut Tape (CT)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paket Perangkat Pemasok
DPAK
Disipasi Daya (Maks)
1.28W (Ta), 56.6W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
100V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
12A (Ta)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
165 mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
20nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
550pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±20V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 48267 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari NTD12N10T4G
NTD12N10T4G Komponen elektronik
NTD12N10T4G Penjualan
NTD12N10T4G Pemasok
NTD12N10T4G Distributor
NTD12N10T4G Tabel data
NTD12N10T4G Foto
NTD12N10T4G Harga
NTD12N10T4G Menawarkan
NTD12N10T4G Harga terendah
NTD12N10T4G Mencari
NTD12N10T4G Pembelian
NTD12N10T4G Kepingan