Beli ON Semiconductor H11G2TVM OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lembar Data

H11G2TVM

OPTOISO 4.17KV DARL W/BASE 6DIP

Nomor Bagian

H11G2TVM

Pabrikan/Merek

ON Semiconductor

Seri

Status Bagian

Active

Kemasan

Tube

Tipe masukan

Suhu Operasional

-40°C ~ 100°C

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

6-DIP (0.400", 10.16mm)

Jenis Keluaran

Darlington with Base

Jumlah Saluran

Paket Perangkat Pemasok

6-DIP

Saat ini - Keluaran / Saluran

Tegangan - Isolasi

4170Vrms

Waktu Naik / Turun (Tip)

Tegangan - Keluaran (Maks)

80V

Tegangan - Maju (Vf) (Typ)

1.3V

Arus - DC Maju (Jika) (Maks)

60mA

Rasio Transfer Saat Ini (Min)

1000% @ 10mA

Rasio Transfer Saat Ini (Maks)

Waktu Nyalakan / Matikan (Ketik)

5µs, 100µs

Vce Saturasi (Maks)

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 18423 PCS

Kontak informasi

Produk-produk terkait

H11G1

OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6DIP