FQB7N65CTM
MOSFET N-CH 650V 7A D2PAK
Nomor Bagian
FQB7N65CTM
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263AB)
Disipasi Daya (Maks)
173W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
650V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
1.4 Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
36nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
1245pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke chen_hx1688@hotmail.com, kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 17781 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQB7N65CTM
FQB7N65CTM Komponen elektronik
FQB7N65CTM Penjualan
FQB7N65CTM Pemasok
FQB7N65CTM Distributor
FQB7N65CTM Tabel data
FQB7N65CTM Foto
FQB7N65CTM Harga
FQB7N65CTM Menawarkan
FQB7N65CTM Harga terendah
FQB7N65CTM Mencari
FQB7N65CTM Pembelian
FQB7N65CTM Kepingan