FQB6N60CTM
MOSFET N-CH 600V 5.5A D2PAK
Nomor Bagian
FQB6N60CTM
Pabrikan/Merek
Seri
QFET®
Status Bagian
Obsolete
Kemasan
Tape & Reel (TR)
Teknologi
MOSFET (Metal Oxide)
Suhu Operasional
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipe Pemasangan
Surface Mount
Paket / Kasus
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paket Perangkat Pemasok
D²PAK (TO-263AB)
Disipasi Daya (Maks)
125W (Tc)
Tipe FET
N-Channel
Fitur FET
-
Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)
600V
Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs
2 Ohm @ 2.75A, 10V
Vgs(th) (Maks) @ Id
4V @ 250µA
Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs
20nC @ 10V
Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds
810pF @ 25V
Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)
10V
Vgs (Maks)
±30V
Minta Penawaran
Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.
Persediaan 14918 PCS
Kontak informasi
Produk-produk terkait
Kata kunci dari FQB6N60CTM
FQB6N60CTM Komponen elektronik
FQB6N60CTM Penjualan
FQB6N60CTM Pemasok
FQB6N60CTM Distributor
FQB6N60CTM Tabel data
FQB6N60CTM Foto
FQB6N60CTM Harga
FQB6N60CTM Menawarkan
FQB6N60CTM Harga terendah
FQB6N60CTM Mencari
FQB6N60CTM Pembelian
FQB6N60CTM Kepingan