Beli NXP USA Inc. PSMN8R5-108ESQ MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Gambar mungkin merupakan representasi.
Lihat spesifikasi untuk detail produk.

Lihat Info Lembar Data

PSMN8R5-108ESQ

MOSFET N-CH 108V 100A I2PAK

Nomor Bagian

PSMN8R5-108ESQ

Pabrikan/Merek

NXP USA Inc.

Seri

Status Bagian

Obsolete

Kemasan

Tube

Teknologi

MOSFET (Metal Oxide)

Suhu Operasional

-55°C ~ 175°C (TJ)

Tipe Pemasangan

Through Hole

Paket / Kasus

TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Paket Perangkat Pemasok

I2PAK

Disipasi Daya (Maks)

263W (Tc)

Tipe FET

N-Channel

Fitur FET

Tiriskan ke Sumber Tegangan (Vdss)

108V

Arus - Pengurasan Kontinu (Id) @ 25°C

100A (Tj)

Rds Aktif (Maks) @ Id, Vgs

8.5 mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th) (Maks) @ Id

4V @ 1mA

Biaya Gerbang (Qg) (Maks) @ Vgs

111nC @ 10V

Kapasitansi Masukan (Ciss) (Maks) @ Vds

5512pF @ 50V

Tegangan Penggerak (Max Rds Aktif, Min Rds Aktif)

10V

Vgs (Maks)

±20V

Minta Penawaran

Silakan lengkapi semua bidang yang wajib diisi dan klik "Kirimkan RFQ", kami akan menghubungi Anda dalam 12 jam melalui email. Jika Anda memiliki masalah, silakan tinggalkan pesan atau email ke [email protected], kami akan merespons sesegera mungkin.

Persediaan 48379 PCS

Kontak informasi